Objetivo

Derivar, comprender y cuantificar la rectificación (prendido y apagado) y amplificación del calor mediante el diodo y el transistor térmico, respectivamente. Esto será realizado usando las propiedades físicas del VO2, las cuales son diferentes durante su calentamiento y enfriamiento, como se muestra en la Fig. 1(c). Esta histéresis térmica será también aplicada para controlar la temperatura de las terminales del diodo y transistor térmico, k(T) T2 x 0 L L+d e(T) Thermal I0 bath Collector T Tc Emitter Te Base (PCM) Tb fe fc fb 330 335 340 345 350 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 VO2 average emissivity, Temperature, T (K) 4 5 6 VO2 thermal conductivity, k (Wm−1 K−1 ) 8 K (a) (b) (c) los cuales podrían por lo tanto ser usadas como maquinas térmicas para calentar y enfriar, tal como hacemos con hornos microondas y refrigerados en casa.